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7AF-HMG研磨機特點：
雙探頭檢測：
研磨SiC會產生熱量，從而導致研磨機熱膨脹，使用單個探針，研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數將不準確，通常會導致研磨不足，使用雙探針可防止研磨不足，一個探針參考晶圓，另一個探針則參考工作卡盤，這消除了優于熱膨脹引起的誤差
實時過程監控：
應用：
基質研磨
·在晶圓制造過程的早期發生，
·用線鋸或K-cut切割
·漿料去除通常在10微米
·后續晶圓制造操作為表面
·用6EZ拋光
背面研磨
·在晶圓的一側制造器件后發生
·起始面通常具有較低的TTV
·漿料去除通常在100微米
其他應用程序
·線鋸基材的背面減薄和整體減薄
